دراسة تأثير سمك الطبقة الفعالة على الخصائص الكهربائية لترانزستور

  • ناظم عبدالجليل عبدالله1- وليد علي حسين2، حسين فالح حسين2. 1- قسم علوم المواد - مركز أبحاث البوليمر/ جامعة البصرة. 2- قسم الفيزياء/ كلية التربية للعلوم الصرفة/ جامعة البصرة.
الكلمات المفتاحية: Organic field effect transistor OFET, TG-BC, Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT), Polyvinyl alcohol (PVA), Thin film, Mobility, Threshold voltage, Channel resistant.

الملخص

        تم في هذه الدراسة تصنيع ترانزستور تأثير المجال العضوي بالتركيب TG-BC، وذلك باستخدام البوليمر P3HT لتشكيل الطبقة الفعالة والبوليمر PVA كطبقة عازلة للبوابة. تم تثبيت كل من طول قناة التوصيل (L=60µm) وعرضها (W=1mm) وسمك الطبقة العازلة للبوابة عند سرعة الدوران (1000rpm) باستخدام طريقة الطلاء بالبرم لترسيب الأغشية الرقيقة، بينما تم ترسيب الطبقة الفعالة بسرع دوران مختلفة (1000, 1500, 2000, 2500, 3000 rpm). بينت نتائج قياس ميزتي الخرج والتحويل ان جميع ترانزستورات المصنعة هي من النوع التعزيزي (او التجميعي) (enhancement or accumulation mode). اظهرت مقارنة المعاملات الكهربائية المحسوبة للترانزستورات ان السمك الأمثل للطبقة الفعالة عند ظروف التصنيع المتبعة هي عند السمك المقابل لسرعة الدوران (2500rpm)، اذ كانت معاملات الترانزستور الأفضل هي:    (µsat=5.86x10-3cm2/Vs), (Ion/Ioff=786),(Vth=-22V), (Rch=9.57x105Ω)

التنزيلات

بيانات التنزيل غير متوفرة بعد.
منشور
2021-06-30
إصدار
مجلد 20 عدد 40 (2021): مجلة ميسان للدراسات الاكاديمية
القسم
مقالة

تخضع جميع المقالات المنشورة في مجلتنا لشروط الترخيص

إسناد المشاع الإبداعي(CC BY-NC-ND 4.0)يسمح هذا الترخيص بإعادة إنتاج المحتوى وإعادة توزيعه وإعادة استخدامه كليًا أو جزئيًا لأي غرض مجانًا ، دون أي إذن من المؤلف (المؤلفين) أو الباحث او الطالب.

الأعمال المقدمة إلى مجلة ميسان للدراسات الاكاديمية للنشر في المجلة تخضع لشروط ترخيص(CC BY-NC-ND 4.0). حيث يمكن مشاركة المحتوى المتاح وتوزيعه وتكراره بشرط عدم وجود ربح تجاري ويجب منح الرصيد المناسب للمصدر الأصلي من خلال المصادر او الاستشهادات. من الضروري ومراجعة أي مواد تستخدم من مصادر أخرى بما في ذلك الأشكال والجداول والصور لإعادة استخدامها بموجب شروط ترخيص المشاع الإبداعي (CC BY-NC-ND 4.0). وبشرط عدم وجود تعديل على المحتوى الأصلي